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光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的清洗：設(shè)備使用一個星期后（三班），因鍍料除鍍在工件表面外，亦因無定向性而工作室內(nèi)的襯板上鍍料，并越鍍越厚，該層膜厚因組織、繞疏松，吸收大量氣體而造成真空鍍膜設(shè)備抽氣越來越慢。此時，應(yīng)對工作室及襯板進行清洗，如不必要拆落來的部件，可用砂紙打磨干凈，襯板可浸泡在水溶液里，水的比例看需要浸泡時間長短以及不傷襯板為原則。注：襯板必須烘干水份才能安裝，烘干前，襯板的水分盡量抹干，工作架等部件用砂紙清潔后，需要把真空室的所有灰塵清理干凈，此可用吸塵器吸干凈灰塵。最后安裝襯板...

等離子去膠機和清洗系統(tǒng)是專門設(shè)計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用PC控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有*的能力:可以從PE等離子刻蝕切換到RIE刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。等離子去膠機的工作原理：等離子去膠法，去膠氣體為氧氣。其工作原理是將硅片置于真空反應(yīng)系統(tǒng)中，通入少量氧氣，加1500V高壓，由高頻信號發(fā)生器產(chǎn)生高頻信號，使石英管內(nèi)形成強的電磁場，使氧氣電離，...

光學(xué)鍍膜設(shè)備是現(xiàn)代光學(xué)和光電系統(tǒng)重要的組成部分，在光通信、光學(xué)顯示、激光加工、激光核聚變等高科技及產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域已經(jīng)成為核心元器件，其技術(shù)突破常常成為現(xiàn)代光學(xué)及光電系統(tǒng)加速發(fā)展的主因。光學(xué)薄膜的技術(shù)性能和可靠性，直接影響到應(yīng)用系統(tǒng)的性能、可靠性及成本。隨著行業(yè)的不斷發(fā)展，精密光學(xué)系統(tǒng)對光學(xué)鍍膜設(shè)備的光譜控制能力和精度要求越來越高，而消費電子對光學(xué)薄膜器件的需求更強調(diào)超大的量產(chǎn)規(guī)模和普通大眾的易用和舒適性。光學(xué)鍍膜設(shè)備在過去幾十年實現(xiàn)了長足的進展，從舟蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)及其離子束輔助...

上周NMC專業(yè)的售后服務(wù)工程師至渭南師范學(xué)院完成了原子層沉積系統(tǒng)NLD-3000的安裝調(diào)試，并順利驗收！NLD-3000是一款PC全自動工藝控制的臺式ALD系統(tǒng)，包含完整的安全聯(lián)鎖功能，能夠沉積氧化物、氮化物、硫化物、氟化物、金屬等高品質(zhì)的薄膜，達(dá)到光學(xué)級別的表面粗糙度。陽極氧化鋁腔體采用內(nèi)外雙層上下結(jié)構(gòu)設(shè)計，加熱腔壁和氣動升降頂蓋，一鍵實現(xiàn)頂蓋開啟/閉合。系統(tǒng)集成快速脈沖傳輸閥和多孔大面積加熱的ALD過濾器，可吸收多余前驅(qū)體。工藝程序、溫度設(shè)定值、氣體流量、抽真空卸真空工序...

原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進，諸如“等離子體增強原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時超...

原子層沉積技術(shù)經(jīng)過四十多年的發(fā)展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴展與改進上，都已經(jīng)取得了長足進步，在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。比如：原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；此外，熱原子層沉積技術(shù)難以用來沉積金屬Ti，Ta等特殊材料。隨著原子層沉積技術(shù)與其他先...

ICP刻蝕機作為核心刻蝕工藝設(shè)備，其工藝表現(xiàn)將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率，憑借其優(yōu)良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術(shù)優(yōu)勢，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，濕法刻蝕由于其固有的局限性，已不能滿足超大規(guī)模集成電路微米、甚至納米級細(xì)線條的工藝加工要求，干法刻蝕逐漸發(fā)展起來。在干法刻蝕中，感應(yīng)耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡稱ICP)刻蝕法由于其產(chǎn)生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側(cè)壁垂直度高以及光潔度好，逐漸...

在各種集成電路的制造過程中，隨著清洗方法的不斷創(chuàng)新與聯(lián)合應(yīng)用，目前的硅片清洗機已不再是一個簡單的制作步驟，而是一個系統(tǒng)的清洗工程。硅片清洗技術(shù)的革新與發(fā)展，推動了清洗設(shè)備制造企業(yè)加大研發(fā)力度，不僅僅是制造出設(shè)備，從某個角度來說，還需根據(jù)各家硅片生產(chǎn)企業(yè)的具體情況提供不同的清洗方案和設(shè)備定制設(shè)計，幫客戶大限度地降低成本和減少損失，同時盡量減少清洗設(shè)備本身可能帶來的沾污。未來的硅片清洗機將向整合性，集成化與全自動的方向發(fā)展。由于硅片表面的污染物會嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性和成品率...