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PEALD系統(tǒng)是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)備制造、太陽(yáng)能電池和納米材料研究等領(lǐng)域。以原子層沉積技術(shù)為基礎(chǔ)，通過(guò)在反應(yīng)室中交替注入兩種氣體，執(zhí)行反應(yīng)和清洗過(guò)程，實(shí)現(xiàn)對(duì)表面沉積物的逐層生長(zhǎng)。PEALD系統(tǒng)的組成由四個(gè)主要部分構(gòu)成：反應(yīng)室、進(jìn)氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)。其中反應(yīng)室是最重要的組成部分，用于承載沉積表面和反應(yīng)氣體。反應(yīng)室具有良好的密封性能，以確保反應(yīng)氣體能夠準(zhǔn)確傳遞到沉積表面。反應(yīng)室內(nèi)部的沉積表面是由基板表面形成的，在表面形成的沉積物層上進(jìn)行PEALD沉積...

掩模板清洗機(jī)是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強(qiáng)。SWC和LSC具備對(duì)點(diǎn)試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個(gè)基片上的分布。掩模板清洗機(jī)應(yīng)用：1.帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片2.Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗3.CMP處理后的晶圓片...

原子層沉積設(shè)備是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。原子層沉積設(shè)備的特點(diǎn)1、傳輸管路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，有效地避免管路堵塞及交叉污染問(wèn)題2、工業(yè)化級(jí)別標(biāo)...

進(jìn)口晶圓清洗機(jī)采用旋轉(zhuǎn)噴淋技術(shù)實(shí)現(xiàn)清洗功能，清洗方法是利用所噴液體的溶解作用來(lái)溶解硅片表面的污漬，同時(shí)利用高速旋轉(zhuǎn)的離心作用，使溶有雜質(zhì)的液體及時(shí)脫離硅片表面。同時(shí)由于所噴液體與旋轉(zhuǎn)的硅片有較高的相對(duì)速度，會(huì)產(chǎn)生較大的沖擊力，實(shí)現(xiàn)清除吸附雜質(zhì)。清洗完成后采用惰性氣體直接干燥，完成對(duì)硅片的清洗。進(jìn)口晶圓清洗機(jī)的應(yīng)用：1、帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片2、Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗3、CMP處理后的晶圓片清洗4、晶圓框架上的切粒芯片清洗5、等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗...

空間環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備腔體的大致尺寸為：直徑24"，長(zhǎng)度43"。帶有一個(gè)16"x32"的滑動(dòng)加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺(tái)也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個(gè)平臺(tái)的溫度均勻度可達(dá)/-1攝氏度。加熱平臺(tái)安裝在滾軸上，可以方便拉出至大到75%的長(zhǎng)度，腔體提供20個(gè)RF連接頭，尺寸為2.92mm，可以支持高達(dá)40GHz的頻率。腔體的兩側(cè)分別有一個(gè)50針的引線。真空系統(tǒng)包含HiPace1200（1000L/s抽速）渦輪分子泵以及一個(gè)ISP500...

RIE刻蝕機(jī)是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radiofrequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ionsheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（ReactiveIonEtching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊。為達(dá)到此目的，必須對(duì)真空度，氣體流量，離子加速電壓等進(jìn)行最佳調(diào)整，同時(shí)，為得到高密度的等離子體，需用...

Nano-Master的遠(yuǎn)程微波等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導(dǎo)表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的選擇性生長(zhǎng)單晶或多晶金剛石生長(zhǎng)微波模塊：NANO-MASTER高質(zhì)量長(zhǎng)壽命遠(yuǎn)程微波源，頻率為2.45GH，微波發(fā)射功率可以自主調(diào)節(jié)，微波反射功率可通過(guò)調(diào)節(jié)降低至發(fā)射功率的千分之一以內(nèi)。遠(yuǎn)程微波源，可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷缺陷的沉積或生長(zhǎng)。設(shè)備腔體：水冷側(cè)壁，確保在高溫工藝下腔體外表面...

主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機(jī)或無(wú)機(jī)物，而無(wú)殘留；去膠渣、深刻蝕應(yīng)用；半導(dǎo)體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產(chǎn)中等離子體預(yù)處理；太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中邊緣絕緣和制絨；先進(jìn)晶片(芯片)封裝中的襯底清潔和預(yù)處理；工作原理介紹：為了產(chǎn)生等離子，系統(tǒng)使用遠(yuǎn)程微波源。氧在真空環(huán)境下受高頻及微波能量作用，電離產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化能力的游離態(tài)氧原子，它在高頻電壓作用下與光刻膠薄膜反應(yīng)，反應(yīng)后生成的CO2和H2O通過(guò)真空系統(tǒng)被抽走。CF4氣體可以達(dá)到更快速的去膠速...