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主要功能:
主要用于半導(dǎo)體應(yīng)用,及各種需要進(jìn)行微納工藝濺射鍍膜的情形??梢?/span>用于金屬材料(金、銀、銅、鎳、鉻等)的直流濺射、直流共濺射,絕緣材料(如陶瓷等)的射頻濺射,以及反應(yīng)濺射能力?;芍С止杵?,氧化硅片,玻璃片,以及對(duì)溫度敏感的有機(jī)柔性基片等。
工作原理:
通過(guò)分子泵和機(jī)械泵組成的兩級(jí)真空泵對(duì)不銹鋼腔體抽真空,當(dāng)廣域真空計(jì)顯示的讀數(shù)達(dá)到10-6Torr量級(jí)或更高的真空時(shí),主系統(tǒng)的控制軟件通過(guò)控制質(zhì)量流量計(jì)精確控制Ar氣體(如需要濺射氧化物薄膜,可增加O2),此時(shí)可以設(shè)定工藝所要求的真空(一般在0.1-10Pa范圍)。這時(shí)可以根據(jù)濺射的需要開(kāi)啟RF或DC電源,并通過(guò)軟件選擇所要濺射的靶槍,產(chǎn)生的Ar等離子轟擊相應(yīng)的靶槍(如果增加O2,氧原子則會(huì)與濺射出來(lái)的原子產(chǎn)生反應(yīng),實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射)。并在樣品臺(tái)上方的基片上沉積出相應(yīng)的薄膜,薄膜的膜厚可以通過(guò)膜厚監(jiān)控儀自動(dòng)控制。工藝狀況可通過(guò)腔門(mén)上的觀察視窗實(shí)時(shí)觀看。自動(dòng)遮板則可以遮擋每一次除了被選中的靶槍外的其它靶槍,防止被污染。
設(shè)備優(yōu)勢(shì):
考慮實(shí)驗(yàn)應(yīng)用要求工藝數(shù)據(jù)的可靠性,NANO-MASTER的磁控濺射設(shè)備在鍍膜均勻性、重復(fù)性和設(shè)備穩(wěn)定性等方面均有優(yōu)勢(shì)。
1、鍍膜均勻性:在關(guān)鍵的鍍膜均勻性方面,對(duì)于6”硅片的金屬材料鍍膜,NM設(shè)備可以達(dá)到優(yōu)于3%的鍍膜均勻度。
2、設(shè)備制造工藝:在配備相似等級(jí)的分子泵及機(jī)械泵的情況下,NM設(shè)備普遍具有更快的抽真空速率,可在20-25分鐘左右就達(dá)到高真空工藝。腔體真空的穩(wěn)定度影響鍍膜的性能。
3、工藝的可重復(fù)性:NM設(shè)備在工藝控制方面,有更高的自動(dòng)化能力,通過(guò)PC控制,減少人工干預(yù)造成的工藝偏差。相比需要人工配合的設(shè)備,導(dǎo)致不同人采用同樣的工藝做出來(lái)的效果卻不同,甚至同一個(gè)人在不同時(shí)間運(yùn)行相同的工藝做出來(lái)的效果也不同。
4、設(shè)備的緊湊性:在滿足相同性能情況下,由于加工精密度方面的優(yōu)勢(shì),NM設(shè)備具有更緊湊的設(shè)計(jì),占地面積較小,節(jié)約實(shí)驗(yàn)室寶貴的空間。
5、設(shè)備的穩(wěn)定性:NM設(shè)備的維護(hù)率較低,可以保證設(shè)備較長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定運(yùn)行,保證科研進(jìn)度。