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盤點微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)的應(yīng)用和特點,你都知道多少?

更新時間:2020-11-24      瀏覽次數(shù):1315

    微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2,Si3N4,或DLC薄膜到z大可達6”直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5cfm的機械泵,腔體可以達到低至10-7torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

    微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用:

    等離子誘導表面改性:就是通常所說的用等離子實現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)

    等離子清洗:去除有機污染物

    等離子聚合:對材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng)

    沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石),以及其它薄膜

    CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長:在需要的位置生長CNT或石墨烯。

    微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)特點:

    立式系統(tǒng)

    自動上下載片,帶預真空鎖

    不銹鋼或鋁制腔體

    極限真空可達10-7Torr

    RF淋浴頭,HCD或微波等離子源

    高達6”(150mm)直徑的樣品臺

    RF射頻偏壓樣品臺

    水冷樣品臺

    可加熱到的800°C樣品臺

    加熱的氣體管路

    加熱的液體傳送單元

    抗腐蝕的渦輪分子泵組

    z大可支持到8MFC

    基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

    菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護

    完整的安全聯(lián)鎖
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